1N4002-T6

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1N4002-T6 技術參數

1N4002-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4002SP TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結束二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4002SP BK 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):生命周期結束二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 1N4002RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4002RL 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10 1N4003-E3/53 1N4003-E3/54 1N4003-E3/73 1N4003E-E3/53 1N4003E-E3/54 1N4003E-E3/73 1N4003G 1N4003-G 1N4003G A0G 1N4003G B0G 1N4003G BK 1N4003G R0G 1N4003G R1G 1N4003GHA0G 1N4003GHB0G 1N4003GHR0G 1N4003GHR1G 1N4003GL TR