1N4358B

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1N4358B 技術(shù)參數(shù)

1N4305TR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 10mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4305-1 功能描述:DIODE SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4305_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 10mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 1N4305 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 10mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 1N4257 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4371A 1N4371A_T50A 1N4371A_T50R 1N4372 1N4372A 1N4372A_T50A 1N4372A_T50R 1N4383GP-E3/54 1N4383GPHE3/54 1N4384GP-E3/54 1N4384GP-E3/73 1N4384GPHE3/54 1N4384GPHE3/73 1N4385GP-E3/54 1N4385GPHE3/54 1N4436 1N4437_FT 1N4444-1