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1N4454-TR

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    1N4454-TR

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售部經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 256

  • Vishay Semiconductors

  • 標準封裝

  • 23+

  • -
  • 真實的資源竭誠服務您!

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  • 1
1N4454-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 二極管 - 通用,功率,開關 Vr/100V Io/10mA
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 產(chǎn)品
  • Switching Diodes
  • 峰值反向電壓
  • 600 V
  • 正向連續(xù)電流
  • 200 A
  • 最大浪涌電流
  • 800 A
  • 配置
  • 恢復時間
  • 2000 ns
  • 正向電壓下降
  • 1.25 V
  • 最大反向漏泄電流
  • 300 uA
  • 最大功率耗散
  • 工作溫度范圍
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • ISOTOP
  • 封裝
  • Tube
1N4454-TR 技術參數(shù)
  • 1N4454TR 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:1 1N4454-TAP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-204AH(DO-35 玻璃) 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10,000 1N4454-1 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4454_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:30,000 1N4454_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:2,000 1N4461 1N4461 BK 1N4461 TR 1N4461US 1N4462 1N4462 BK 1N4462 TR 1N4462US 1N4463 1N4463 BK 1N4463US 1N4464 1N4464 BK 1N4464US 1N4465 1N4465 BK 1N4465 TR 1N4465US
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