1N459A-CT

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1N459A-CT 技術(shù)參數(shù)

1N459A_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 175V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:6pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:30,000 1N459A_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 175V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:6pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:2,000 1N459A_L99Z 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 175V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:6pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:2,000 1N459A 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 150MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4596R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205AA 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1400V（1.4kV）電流 - 平均整流（Io）:150A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 150A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3.5mA @ 1400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-205AA，DO-8，接線柱供應商器件封裝:DO-205AA（DO-8）工作溫度 - 結(jié):-60°C ~ 200°C 標準包裝:10 1N4615 BK 1N4615 TR 1N4615-1 1N4615UR 1N4616 BK 1N4616 TR 1N4616-1 1N4616UR 1N4617 BK 1N4617 TR 1N4617-1 1N4617UR 1N4618 BK 1N4618 TR 1N4618-1 1N4618UR 1N4619 BK 1N4619 TR