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1N4713LT3

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1N4713LT3 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4713 TR 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4713 BK 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N4713 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4713 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4712UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4715 TR 1N4715UR-1 1N4716 1N4716 (DO35) 1N4716 BK 1N4716 TR 1N4716UR-1 1N4717 1N4717 (DO35) 1N4717 TR 1N4717UR-1 1N4720 1N4722 1N4723 1N4724 1N4725 1N4728 G 1N4728A
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