1N4732AT9

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1N4732AT9 技術(shù)參數(shù)

1N4732A-T50A 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 基本零件編號(hào):1N4732 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4732A-T 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4732APE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N4732APE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N4732AP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N4732CPE3/TR12 1N4732CPE3/TR8 1N4732E3/TR13 1N4732G A0G 1N4732G R0G 1N4732P/TR12 1N4732P/TR8 1N4732PE3/TR12 1N4732PE3/TR8 1N4733 G 1N4733A 1N4733A BK 1N4733A G 1N4733A TR 1N4733A,113 1N4733A,133 1N4733A_S00Z 1N4733A_T50A