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1N4732AZENERDIODE(1W

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1N4732AZENERDIODE(1W 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4732AUR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4732A-TR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4732ATR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4732A-TP 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41G 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4732A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4732P/TR8 1N4732PE3/TR12 1N4732PE3/TR8 1N4733 G 1N4733A 1N4733A BK 1N4733A G 1N4733A TR 1N4733A,113 1N4733A,133 1N4733A_S00Z 1N4733A_T50A 1N4733A_T50R 1N4733AE3/TR13 1N4733AP/TR12 1N4733AP/TR8 1N4733APE3/TR12 1N4733APE3/TR8
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