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1N4749A133

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  • 制造商
  • NXP
  • 功能描述
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
1N4749A133 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4749A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 24V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 18.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4749A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 24V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 18.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4749A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 24V 1W 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 18.2V 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N4749A_NT50A 功能描述:DIODE ZENER 24V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 18.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N4749A,133 功能描述:DIODE ZENER 24V 1W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 18.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4749APE3/TR8 1N4749A-T 1N4749A-T50A 1N4749A-T50R 1N4749ATA 1N4749A-TAP 1N4749A-TP 1N4749ATR 1N4749A-TR 1N4749AUR 1N4749CE3/TR13 1N4749CP/TR12 1N4749CP/TR8 1N4749CPE3/TR12 1N4749CPE3/TR8 1N4749E3/TR13 1N4749G A0G 1N4749G R0G
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