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1N4750AGE3TR

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1N4750AGE3TR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4750AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4750A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 1N4750A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4750A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N4750A TR 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4750A-T50A 1N4750ATA 1N4750A-TAP 1N4750A-TP 1N4750ATR 1N4750A-TR 1N4750AUR 1N4750CE3/TR13 1N4750CP/TR12 1N4750CP/TR8 1N4750CPE3/TR12 1N4750CPE3/TR8 1N4750E3/TR13 1N4750G A0G 1N4750G R0G 1N4750P/TR12 1N4750P/TR8 1N4750PE3/TR12
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