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1N4750ARL-PB

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1N4750ARL-PB 技術參數
  • 1N4750APE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4750APE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4750AP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4750AP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4750AHR1G 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4750CP/TR12 1N4750CP/TR8 1N4750CPE3/TR12 1N4750CPE3/TR8 1N4750E3/TR13 1N4750G A0G 1N4750G R0G 1N4750P/TR12 1N4750P/TR8 1N4750PE3/TR12 1N4750PE3/TR8 1N4751 G 1N4751A 1N4751A A0G 1N4751A B0G 1N4751A BK 1N4751A G 1N4751A R0G
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