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1N4750ATR-CT

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1N4750ATR-CT 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4750A-TR 功能描述:DIODE ZENER 27V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4750ATR 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4750A-TP 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41G 標準包裝:1 1N4750A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 27V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):35 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4750ATA 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 12.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4750P/TR12 1N4750P/TR8 1N4750PE3/TR12 1N4750PE3/TR8 1N4751 G 1N4751A 1N4751A A0G 1N4751A B0G 1N4751A BK 1N4751A G 1N4751A R0G 1N4751A R1G 1N4751A TR 1N4751A_S00Z 1N4751A_T50A 1N4751A_T50R 1N4751AE3/TR13 1N4751AHA0G
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