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1N5221BT50R-CT

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1N5221BT50R-CT 技術參數
  • 1N5221B-T 功能描述:DIODE ZENER 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結束 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5221BDO35E3 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5221BDO35 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5221B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5221B TR 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5222B 1N5222B (DO-35) 1N5222B A0G 1N5222B BK 1N5222B TR 1N5222B_T50A 1N5222B_T50R 1N5222B-T 1N5222BTA 1N5222B-TAP 1N5222B-TP 1N5222B-TR 1N5222BUR-1 1N5222C-TAP 1N5222C-TR 1N5223A 1N5223A (DO-35)TR 1N5223B
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