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1N5230C-TR

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  • 廠商
  • 封裝
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  • 1N5230C-TR
    1N5230C-TR

    1N5230C-TR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4556

  • VISHAY

  • 1425

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存!

  • 1N5230C-TR
    1N5230C-TR

    1N5230C-TR

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話:0755-2391507123915070(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務)

    地址:華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 65200

  • VISHAY/威世

  • DO-35-2

  • 2020+

  • -
  • 大中華區(qū)授權(quán)代理可接受訂貨

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
1N5230C-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 4.7 Volt 0.5W 2%
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
1N5230C-TR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5230C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5230B-TR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5230BTR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5230B-TP 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5230B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5231B_S00Z 1N5231B_T26A 1N5231B_T50A 1N5231B_T50R 1N5231BDO35TR 1N5231B-T 1N5231BTA 1N5231B-TAP 1N5231B-TP 1N5231BTR 1N5231B-TR 1N5231BUR-1 1N5231C 1N5231C-TAP 1N5231CTR 1N5231C-TR 1N5231TA 1N5232A (DO-35)TR
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