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1N5240BTR-CT

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1N5240BTR-CT 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5240B-TR 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5240BTR 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5240B-TP 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5240B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5240BTA 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 7.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5241B BK 1N5241B TR 1N5241B_S00Z 1N5241B_T50A 1N5241B_T50R 1N5241B-T 1N5241BTA 1N5241B-TAP 1N5241B-TP 1N5241BTR 1N5241B-TR 1N5241BUR-1 1N5241C-TAP 1N5241C-TP 1N5241C-TR 1N5241TA 1N5242A (DO-35) 1N5242B
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