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1N5257B-TP

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 1N5257B-TP
    1N5257B-TP

    1N5257B-TP

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品質(zhì)量保障 電話010-62104...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共10條 
  • 1
1N5257B-TP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 500mW 33V
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
1N5257B-TP 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5257B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 3.8A 33V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí),AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5257BTA 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 24V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5257B-T 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5257B-G 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5257B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5258B (DO-35) 1N5258B A0G 1N5258B BK 1N5258B TR 1N5258B_T50A 1N5258B_T50R 1N5258B-T 1N5258BTA 1N5258B-TAP 1N5258B-TP 1N5258B-TR 1N5258BUR-1 1N5258C-TAP 1N5258C-TR 1N5258TA 1N5259A 1N5259A (DO-35) 1N5259B
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