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1N5350BRL(13V)

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯(lián)系人:唐先生

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  • 深圳市企諾德電子有限公司
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    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

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1N5350BRL(13V) 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5350BRL 功能描述:DIODE ZENER 13V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:10 1N5350BG 功能描述:DIODE ZENER 13V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1,000 1N5350BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 13V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5350BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 13V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5350BE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 13V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5350E3/TR8 1N5351/TR12 1N5351/TR8 1N5351A/TR12 1N5351A/TR8 1N5351AE3/TR12 1N5351AE3/TR13 1N5351AE3/TR8 1N5351B 1N5351B/TR12 1N5351B/TR8 1N5351BE3/TR12 1N5351BE3/TR13 1N5351BE3/TR8 1N5351BG 1N5351BRL 1N5351BRLG 1N5351B-TP
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