1N5363A

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封裝
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價格
說明
操作

1N5363A
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
73400
EIC
Standard
2024+
-
頂級代理原裝現(xiàn)貨假一賠十

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1N5363A 技術(shù)參數(shù)

1N5363/TR8 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5363/TR12 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5362E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 28V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:28V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5362E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 28V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:28V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5362E3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 28V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:28V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5363BE3/TR13 1N5363BE3/TR8 1N5363BG 1N5363BRL 1N5363BRLG 1N5363B-TP 1N5363C/TR12 1N5363C/TR8 1N5363CE3/TR12 1N5363CE3/TR13 1N5363CE3/TR8 1N5363E3/TR12 1N5363E3/TR13 1N5363E3/TR8 1N5364/TR12 1N5364/TR8 1N5364A/TR12 1N5364A/TR8