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1N5623GP-E3/1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 1N5623GP-E3/1
    1N5623GP-E3/1

    1N5623GP-E3/1

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷(xiāo)售部經(jīng)理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號(hào)/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 256

  • Vishay Semiconductors

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 23+

  • -

  • 真實(shí)的資源竭誠(chéng)服務(wù)您！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
1N5623GP-E3/1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 整流器 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 產(chǎn)品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向電壓
  • 100 V
  • 正向電壓下降
  • 恢復(fù)時(shí)間
  • 1.2 us
  • 正向連續(xù)電流
  • 2 A
  • 最大浪涌電流
  • 35 A
  • 反向電流 IR
  • 5 uA
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-221AC
  • 封裝
  • Reel
1N5623GP-E3/1 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5623 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:500ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5622US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5622GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 1N5622GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5622C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5625GP-E3/73 1N5625GPHE3/54 1N5625-TAP 1N5625-TR 1N5626GP-E3/54 1N5626GP-E3/73 1N5626GPHE3/54 1N5626-TAP 1N5626-TR 1N5627GP-E3/54 1N5627GP-E3/73 1N5627GPHE3/54 1N5627-TAP 1N5627-TR 1N5629 1N5629A 1N5630 1N5630A
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