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1N5624(T+R) D/C90

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1N5624(T+R) D/C90 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5623US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:500ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 12V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5623GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:500ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N5623GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:500ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5623 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:500ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5622US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5625-TR 1N5626GP-E3/54 1N5626GP-E3/73 1N5626GPHE3/54 1N5626-TAP 1N5626-TR 1N5627GP-E3/54 1N5627GP-E3/73 1N5627GPHE3/54 1N5627-TAP 1N5627-TR 1N5629 1N5629A 1N5630 1N5630A 1N5631 1N5631A 1N5632
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