1N5626GPTR

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1N5626GPTR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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1N5626GPTR 技術(shù)參數(shù)

1N5626GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,400 1N5626GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件狀態(tài):停產(chǎn) 標準包裝:2,000 1N5626GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5625-TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應(yīng)商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5625-TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:7.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應(yīng)商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 1N5630 1N5630A 1N5631 1N5631A 1N5632 1N5632A 1N5633 1N5633A 1N5634 1N5634A 1N5635 1N5635A 1N5636 1N5636A 1N5637 1N5637A 1N5637A/TR 1N5637AE3