1N5812UTG5003

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1N5812UTG5003 技術(shù)參數(shù)

1N5812R 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5812 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 20A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:15ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:300pF @ 10V，1MHz 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-203AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5811US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N5811US 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5811TR 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應(yīng)商器件封裝:- 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5817 A0G 1N5817 B0G 1N5817 BK 1N5817 R0G 1N5817 R1G 1N5817 TR 1N5817/54 1N5817-B 1N5817-E3/53 1N5817-E3/54 1N5817-E3/73 1N5817G 1N5817HA0G 1N5817HB0G 1N5817HR0G 1N5817HR1G 1N5817M-13 1N5817RL