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1N5813R

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  • 廠商
  • 封裝
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  • 1N5813R
    1N5813R

    1N5813R

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐/歐陽先生

    電話：0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • MICROSEMI

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 1N5813R
    1N5813R

    1N5813R

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 26550

  • MICROSEMI

  • 正品封裝

  • 23+

  • -

  • 正規(guī)商現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 1N5813R
    1N5813R

    1N5813R

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 86530

  • MICROSEMI

  • MODULE

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！！

  • 1N5813R
    1N5813R

    1N5813R

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 9000

  • MICROSEMI

  • 原廠原裝

  • 19+

  • -

  • 只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 75V 20A 2PIN DO-4 - Bulk
1N5813R 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5813 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5812R 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5812 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 20A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:15ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:300pF @ 10V，1MHz 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-203AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5811US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N5811US 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5817 BK 1N5817 R0G 1N5817 R1G 1N5817 TR 1N5817/54 1N5817-B 1N5817-E3/53 1N5817-E3/54 1N5817-E3/73 1N5817G 1N5817HA0G 1N5817HB0G 1N5817HR0G 1N5817HR1G 1N5817M-13 1N5817RL 1N5817RLG 1N5817-T
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