1N5822 T/B

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1N5822 T/B 技術參數

1N5822 R0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1,250 1N5822 B0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:500 1N5822 A0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:500 1N5822 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:190pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5821US 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5822RL 1N5822RLG 1N5822-T 1N5822-TP 1N5822US 1N5824 1N5825 1N5826 1N5826R 1N5827 1N5827R 1N5828 1N5828R 1N5829 1N5829R 1N5830 1N5830R 1N5831