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1N755ATR

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  • 型號
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  • 1N755ATR
    1N755ATR

    1N755ATR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Fairchild

  • ★全新★

  • 〓最新批號

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1N755ATR
    1N755ATR

    1N755ATR

  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4744

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  • 1N755ATR
    1N755ATR

    1N755ATR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • FAIRCHILD

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1N755ATR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 7.5V 0.5W Zener
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
1N755ATR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N755A-1 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N755A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N755A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N755A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N755A TR 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N756AUR-1 1N757A 1N757A BK 1N757A TR 1N757A_S00Z 1N757A_T50A 1N757A_T50R 1N757A-1 1N757ATR 1N757AUR-1 1N758A 1N758A BK 1N758A TR 1N758A_S00Z 1N758A_T50A 1N758A_T50R 1N758A-1 1N758ATR
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