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1SV306-TE85L

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    1SV306-TE85L

    1SV306-TE85L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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1SV306-TE85L 技術(shù)參數(shù)
  • 1SV305,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:6.6pF @ 4V，1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一 不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV304TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:6.6pF @ 4V，1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一 不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應(yīng)商器件封裝:USC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV285TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2.35pF @ 4V，1MHz 電容比:2.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一 不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV282TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:3pF @ 25V，1MHz 電容比:12.5 電容比條件:C2/C25 電壓 - 峰值反向（最大值）:34V 二極管類型:單一 不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV281TH3FT 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8.7pF @ 4V，1MHz 電容比:2 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一 不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG 1SX250LN2F43E1VG
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