1SV308(TH3F)

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1SV308(TH3F) 技術(shù)參數(shù)

1SV308(TH3,F) 功能描述:DIODE PIN 30V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時(shí)的電阻:1.5 歐姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV307(TPH3,F) 功能描述:SWITCHING DIODE 30V 2 USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時(shí)的電阻:1.5 歐姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應(yīng)商器件封裝:USC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV305,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:6.6pF @ 4V，1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV304TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:6.6pF @ 4V，1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應(yīng)商器件封裝:USC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV285TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2.35pF @ 4V，1MHz 電容比:2.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG 1SX250LN2F43E1VG 1SX250LN2F43E2LG 1SX250LN2F43E2VG