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2N1262

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    2N1262

    2N1262

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

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    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | STR-8
2N1262 技術(shù)參數(shù)
  • 2N1131B 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N1131A 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 150mA,10V 頻率 - 躍遷:90MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N1131 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N1016D 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N1016C 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N1613 2N1613A 2N1613L 2N1700 2N1701 2N1702 2N1711 2N1711S 2N1717 2N1717S 2N1792 2N1793 2N1794 2N1795 2N1796 2N1797 2N1798 2N1799
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