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2N2616

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    2N2616

    2N2616

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

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  • 制造商
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  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18
2N2616 技術(shù)參數(shù)
  • 2N2605UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 2N2605 功能描述:TRANS PNP 60V 0.03A TO-46 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AB,TO-46-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-46-3 標準包裝:1 2N2604 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 2N2484UB 功能描述:TRANS NPN 60V 0.05A SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 100μA,1mA 電流 - 集電極截止(最大值):2nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):225 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N2484UA 功能描述:TRANS NPN 60V 0.05A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 100μA,1mA 電流 - 集電極截止(最大值):2nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):225 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,無引線 供應商器件封裝:UA 標準包裝:1 2N2721 2N2722 2N2811 2N2812 2N2813 2N2814 2N2857 2N2857UB 2N2880 2N2895 2N2903 2N2903A 2N2904 2N2904A 2N2904AL 2N2905 2N2905A 2N2905AL
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