2N3866ATIN DIPPED

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2N3866ATIN DIPPED 技術(shù)參數(shù)

2N3866A 功能描述:RF Transistor NPN 30V 400mA 400MHz 1W Through Hole TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:400MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N3866 功能描述:TRANS RF NPN 30V 400MA TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:500MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:5W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N3859A_D75Z 功能描述:TRANS NPN 60V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N3859A 功能描述:TRANS NPN 60V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N3838 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-扁平封裝供應商器件封裝:6 扁平封裝標準包裝:1 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z 2N3904_J61Z 2N3904-AP 2N3904BU 2N3904CBU 2N3904CTA