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2N4447

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  • 2N4447
    2N4447

    2N4447

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • MOT

  • CAN

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • 2N4447
    2N4447

    2N4447

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MOT

  • CAN

  • 08+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2N4447
    2N4447

    2N4447

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

  • 8566

  • MOT

  • CAN

  • 15+

  • -

  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
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  • 制造商
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  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
2N4447 技術(shù)參數(shù)
  • 2N4427 功能描述:TRANS NPN 20V 0.4A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:500MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:10dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 100mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標準包裝:250 2N4424 功能描述:TRANS NPN 40V 0.5A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 3mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:30nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，4.5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N4416-E3 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4416A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4416A-2 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4856JTXV02 2N4856UB 2N4857 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02
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