2N4860JAN

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制造商
VISHAY
制造商全稱(chēng)
Vishay Siliconix
功能描述
N-Channel JFETs

2N4860JAN 技術(shù)參數(shù)

2N4860 功能描述:JFET N-Channel 30V 100mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/385 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:100mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:6V @ 500pA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:18pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:40 歐姆功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4859UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4859JTXV02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N4859JTXL02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N4859JTX02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N4864 2N4865 2N4870 2N4871 2N4895 2N4898 2N4899 2N4900 2N4901 2N4903 2N4905 2N4906 2N4910 2N4911 2N4913 2N4914 2N4918 2N4918G