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2N5089TA_Q

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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/12
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N5089TA_Q 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5089TA 功能描述:TRANS NPN 25V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):400 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5089RLRAG 功能描述:TRANS NPN 25V 0.05A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):400 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5089RLRA 功能描述:TRANS NPN 25V 0.05A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):400 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5089G 功能描述:TRANS NPN 25V 0.05A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):400 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 2N5089BU 功能描述:TRANS NPN 25V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):400 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2N5114JAN02 2N5114JTVL02 2N5114JTX02 2N5114JTXL02 2N5114JTXV02 2N5114UB 2N5115 2N5115-E3 2N5115JAN02 2N5115JTVL02 2N5115JTX02 2N5115JTXL02 2N5115JTXV02 2N5115UB 2N5116 2N5116-E3 2N5116JAN02 2N5116JTVL02
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