2N5114-E3

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： 2N5114JAN02 2N5114JTVL02 2N5114JTX02 2N5114JTXL02 2N5114JTXV02 2N5114UB 2N5115 2N5115-E3 2N5115JAN02

2N5114-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N5114-E3 PDF下載

功能描述
JFET 30V 10pA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶體管極性
N-Channel
漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
50 mA
漏源電壓 VDS
15 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
50 mA
配置
安裝風格
封裝 / 箱體
SC-59
封裝
Reel

2N5114-E3 技術(shù)參數(shù)

2N5114 功能描述:P CHANNEL JFET 制造商:microsemi corporation 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:90mA @ 18V 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:10V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:25pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:75 Ohms 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18（TO-206AA）標準包裝:1 2N5109 功能描述:TRANS RF NPN 20V 400MA TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:1.2GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，15V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N5093 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N5092 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N5091 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N5115JTVL02 2N5115JTX02 2N5115JTXL02 2N5115JTXV02 2N5115UB 2N5116 2N5116-E3 2N5116JAN02 2N5116JTVL02 2N5116JTX02 2N5116JTXL02 2N5116JTXV02 2N5116UB 2N5151 2N5151L 2N5152 2N5152L 2N5154