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2N5468

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    2N5468

    2N5468

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 100000

  • YXYBDT臺(tái)灣

  • TO-66

  • 2024+

  • -

  • 代理臺(tái)灣YXYBDT.現(xiàn)貨

  • 2N5468
    2N5468

    2N5468

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-213AA

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANS GP BJT NPN 400V 3A 2PIN TO-66 - Bulk
2N5468 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5462G 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.8V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2N5462_D27Z 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.8V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5462 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.8V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5461RLRAG 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5461RLRA 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5486 2N5486_D26Z 2N5486_D27Z 2N5486_D74Z 2N5486G 2N5486RLRP 2N5486RLRPG 2N5545JTX01 2N5545JTXL01 2N5545JTXV01 2N5546JTX01 2N5546JTXL01 2N5546JTXV01 2N5547JTX01 2N5547JTXL01 2N5547JTXV01 2N5550 2N5550_D26Z
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