2N5475

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

2N5475
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2500
MOTOROLA/摩托羅拉
CAN
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

2N5475
深圳市時(shí)興宇電子有限公司
深圳市時(shí)興宇電子有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會大廈A座19樓19G
8566
MOT
CAN
15+
-
絕對公司原裝現(xiàn)貨

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2N5475 技術(shù)參數(shù)

2N5462G 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.8V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2N5462_D27Z 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.8V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5462 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.8V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5461RLRAG 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5461RLRA 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5486 2N5486_D26Z 2N5486_D27Z 2N5486_D74Z 2N5486G 2N5486RLRP 2N5486RLRPG 2N5545JTX01 2N5545JTXL01 2N5545JTXV01 2N5546JTX01 2N5546JTXL01 2N5546JTXV01 2N5547JTX01 2N5547JTXL01 2N5547JTXV01 2N5550 2N5550_D26Z