2N5770_D27Z

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功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N5770_D27Z 技術參數(shù)

2N5770_D26Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 8mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5770 功能描述:TRANS RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:900MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 8mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N5769 功能描述:DIE TRANS NPN SWITCHING 15V 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:25 2N5686G 功能描述:TRANS NPN 80V 50A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:5V @ 10A，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 25A，2V 功率 - 最大值:300W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AE 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N5686 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N5772_D75Z 2N5781 2N5782 2N5783 2N5784 2N5785 2N5786 2N5793 2N5794 2N5794U 2N5795 2N5796 2N5796U 2N5822 2N5830 2N5830_D26Z 2N5838 2N5839