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2N5771_D26Z

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  • 2N5771_D26Z
    2N5771_D26Z

    2N5771_D26Z

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • FSC

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  • 2024+

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2N5771_D26Z PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT Switching Transistor PNP
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N5771_D26Z 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5771 功能描述:TRANS PNP 15V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,300mV 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5770_D75Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 8mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5770_D74Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 8mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5770_D27Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 8mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5770_D26Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 8mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5784 2N5785 2N5786 2N5793 2N5794 2N5794U 2N5795 2N5796 2N5796U 2N5822 2N5830 2N5830_D26Z 2N5838 2N5839 2N5840 2N5868 2N5871 2N5872
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