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2N6031G

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  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • 2N6031G
    2N6031G

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 36200

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • 2N6031G
    2N6031G

    2N6031G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ON

  • TO-3

  • 最新批號(hào)

  • -
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  • 2N6031G 功率三極管
    2N6031G 功率三極管

    2N6031G 功率三極管

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:廖R

    電話:13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 5388

  • TI/德州儀器

  • 19+

  • -
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
2N6031G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N6031G 技術(shù)參數(shù)
  • 2N6028RLRPG 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓:40V 功率耗散(最大值):300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移(Vt):600mV 電流 - 柵極至陽(yáng)極漏(Igao):10nA 電流 - 谷值(Iv):25μA 電流 - 峰值:150nA 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6028RLRP 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓:40V 功率耗散(最大值):300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移(Vt):600mV 電流 - 柵極至陽(yáng)極漏(Igao):10nA 電流 - 谷值(Iv):25μA 電流 - 峰值:150nA 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N6028RLRMG 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓:40V 功率耗散(最大值):300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移(Vt):600mV 電流 - 柵極至陽(yáng)極漏(Igao):10nA 電流 - 谷值(Iv):25μA 電流 - 峰值:150nA 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6028RLRAG 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓:40V 功率耗散(最大值):300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移(Vt):600mV 電流 - 柵極至陽(yáng)極漏(Igao):10nA 電流 - 谷值(Iv):25μA 電流 - 峰值:150nA 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6028RLRA 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓:40V 功率耗散(最大值):300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移(Vt):600mV 電流 - 柵極至陽(yáng)極漏(Igao):10nA 電流 - 谷值(Iv):25μA 電流 - 峰值:150nA 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6040 2N6040G 2N6041 2N6042 2N6042G 2N6043 2N6043G 2N6045 2N6045G 2N6048 2N6049 2N6051 2N6052 2N6052G 2N6055 2N6058 2N6059 2N6071AG
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