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2N6181

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  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR
2N6181 技術參數
  • 2N6123 功能描述:TRANS NPN 80V 4A TO-220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.4V @ 1A,4A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 1.5A,2V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:2.5MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 2N6111G 功能描述:TRANS PNP 30V 7A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):7A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3.5V @ 3A,7A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 3A,4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6111 功能描述:TRANS PNP 30V 7A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):7A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3.5V @ 3A,7A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 3A,4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6109G 功能描述:TRANS PNP 50V 7A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):7A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3.5V @ 3A,7A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2.5A,4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6109 功能描述:TRANS PNP 50V 7A TO-220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):7A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3.5V @ 3A,7A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2.5A,4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 2N6230 2N6231 2N6233 2N6234 2N6235 2N6249 2N6249T1 2N6250 2N6251 2N6251T1 2N6274 2N6275 2N6276 2N6277 2N6278 2N6279 2N6280 2N6281
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