2N6427/D27Z

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2N6427/D27Z 技術(shù)參數(shù)

2N6427 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2N6426RLRAG 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N6426RLRA 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N6426G 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 2N6426_D74Z 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N6430 2N6431 2N6432 2N6433 2N6436 2N6438 2N6486 2N6487 2N6487G 2N6488 2N6488G 2N6490 2N6490G 2N6491 2N6491G 2N6497 2N6497G 2N6502