2N6667A

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2N6667A 技術(shù)參數(shù)

2N6667 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類(lèi)型:PNP - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 100mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2N6661JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6661JTXP02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6661JTXL02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6661JTX02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6678 2N6678T1 2N6714 2N6715 2N6719 2N6724 2N6725 2N6726 2N6727 2N6729 2N6756 2N6758 2N6760 2N6762 2N6764 2N6764T1 2N6766 2N6766T1