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2N6764JA

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  • 2N6764JANTXV
    2N6764JANTXV

    2N6764JANTXV

  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 108

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝!

  • 2N6764JANTXV
    2N6764JANTXV

    2N6764JANTXV

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937909

    地址:門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 108

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝!

  • 2N6764JANTX
    2N6764JANTX

    2N6764JANTX

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 856420

  • ir

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨?。?/p>

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2N6764JA 技術(shù)參數(shù)
  • 2N6764 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 38A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AE 供應(yīng)商器件封裝:TO-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6762 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-204AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6760 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.22 歐姆 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-204AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6758 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):490 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-204AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6756 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-204AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6784 2N6784U 2N6788 2N6788U 2N6790 2N6790U 2N6796 2N6796U 2N6798 2N6798U 2N6800 2N6800U 2N6802 2N6802U 2N6804 2N6849 2N6849U 2N6901
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