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2N6796CDBN

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • 原廠品牌

  • 原廠封裝

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2N6796CDBN 技術參數(shù)
  • 2N6796 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6790U 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 2.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:18-ULCC(9.14x7.49) 標準包裝:1 2N6790 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 2.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6788U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:18-ULCC(9.14x7.49) 標準包裝:1 2N6788 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6849U 2N6901 2N696 2N696S 2N697 2N697A 2N697S 2N6987 2N6987U 2N6988 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z
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