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2N689A

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  • 型號
  • 供應商
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2N689A
    2N689A

    2N689A

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 26550

  • IR

  • 正品封裝

  • 23+

  • -

  • 正規(guī)商現(xiàn)貨供應

  • 2N689A
    2N689A

    2N689A

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐/歐陽先生

    電話：0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • IR

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 2N689A
    2N689A

    2N689A

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 86530

  • IR

  • MODULE

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨?。?/p>

  • 2N689A
    2N689A

    2N689A

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 9000

  • IR

  • 原廠原裝

  • 19+

  • -

  • 只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
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  • 制造商
  • Solid State Devices Inc (SSDI)
  • 功能描述
  • TO 48 25 Amp Scr
2N689A 技術參數(shù)
  • 2N6849U 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18-LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 4.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49） 標準包裝:1 2N6849 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6804 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-204AA（TO-3） 標準包裝:1 2N6802U 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49） 標準包裝:1 2N6802 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z 2N7000-D75Z 2N7000G 2N7000-G 2N7000RLRA 2N7000RLRAG
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