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2N6934

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 400045

  • YXYBDT臺灣

  • TO-3PN

  • 2024+

  • -

  • 代理臺灣YXYBDT.現貨

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    2N6934

    2N6934

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯系人：陳先生

    電話：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 1000

  • ISC

  • TO-3P

  • 17+

  • -

  • ★專注專業(yè)，誠信為本，品質第一，共創(chuàng)雙贏...

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  • 制造商
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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204
2N6934 技術參數
  • 2N6901 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.69A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1.07A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:8.33W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6849U 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18-LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 4.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49） 標準包裝:1 2N6849 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6804 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-204AA（TO-3） 標準包裝:1 2N6802U 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49） 標準包裝:1 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z 2N7000-D75Z 2N7000G 2N7000-G 2N7000RLRA 2N7000RLRAG 2N7000RLRMG
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