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2N7002 / S72

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2N7002 / S72 技術(shù)參數(shù)
  • 2N7002 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:115mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7000TA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7000RLRPG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N7000RLRMG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N7000RLRAG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002_S00Z 2N7002-7 2N7002-7-F 2N7002A-7 2N7002AQ-13 2N7002AQ-7 2N7002BK,215 2N7002BKM,315 2N7002BKMB,315 2N7002BKS,115 2N7002BKS/ZLX 2N7002BKT,115 2N7002BKV,115 2N7002BKVL 2N7002BKW,115 2N7002CK,215 2N7002CKVL 2N7002-D87Z
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