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2N7334

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  • 2N7334
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  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 3000

  • IR

  • AUCDIP

  • 22+

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  • 每一片都來(lái)自原廠,正品保證

  • 2N7334JANTX
    2N7334JANTX

    2N7334JANTX

  • 標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 14

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  • 全新原裝!優(yōu)勢(shì)庫(kù)存熱賣(mài)中!

  • 2N7334
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 55

  • CDIP

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 2N7334
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  • 深圳市藍(lán)山航業(yè)電子科技有限公司
    深圳市藍(lán)山航業(yè)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳偉

    電話:0755-83979745

    地址:新亞洲二期N2A090

  • 500000

  • 長(zhǎng)期備有現(xiàn)貨

  • 22+

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  • 行業(yè)低價(jià),代理渠道

  • 2N7334
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 原廠

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

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  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18320850923

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)1713室

  • 12

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  • 21+

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH QUAD 100V MO-036AB
2N7334 技術(shù)參數(shù)
  • 2N7236U 功能描述:MOSFET P-CH 100V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-267AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-267AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7236 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3,TO-254AA(直引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7228U 功能描述:MOSFET N-CH 500V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):415 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-267AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-267AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7228 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):415 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3,TO-254AA(直引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7227U 功能描述:MOSFET N-CH 400V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):315 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-267AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-267AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9
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