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2N744

2N744
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
mot
dc86
-
假一罰十，百分百原裝正品，質(zhì)量保障

2N744
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
-
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

2N744
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
158
F
N/A
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

2N744
深圳市悅興晨電子科技有限公司
深圳市悅興晨電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室柜臺號新亞洲二期N2B227
15600
mot
原廠原封裝
2023+
-
全新原裝部分發(fā)貨3-5天

2N744
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
MOT
CAN
15+
-
原裝正品，假一罰十

2N744
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳偉
電話：0755-83979745
地址：新亞洲二期N2A090
500000
mot
22+
-
行業(yè)低價，代理渠道

2N744
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層
8000
AD534CH
AD741JH
21+
-
ALTERA.XILINX代理指定授權(quán)分...

2N744
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
853240
NOBR
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現(xiàn)貨??！

2N744
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G
9331
MOT
CAN
12+
-
絕對公司原裝現(xiàn)貨

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18

2N744 技術(shù)參數(shù)

2N7335 功能描述:MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:4 個 P 通道 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:750mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:14-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:MO-036AB 標準包裝:1 2N7334 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 600mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:14-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:MO-036AB 標準包裝:1 2N7236U 功能描述:MOSFET P-CH 100V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-267AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-267AB 標準包裝:1 2N7236 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 2N7228U 功能描述:MOSFET N-CH 500V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:415 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-267AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-267AB 標準包裝:1 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA