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2N748

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    2N748

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MOT

  • CAN

  • 09+

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2N748
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    2N748

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 8000

  • AD534CH

  • AD741JH

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  • ALTERA.XILINX代理指定授權分...

  • 2N7489T3
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • 2N7489T3
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  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室

  • 17

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2N748 技術參數(shù)
  • 2N7335 功能描述:MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:4 個 P 通道 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:750mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商器件封裝:MO-036AB 標準包裝:1 2N7334 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 600mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商器件封裝:MO-036AB 標準包裝:1 2N7236U 功能描述:MOSFET P-CH 100V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-267AB 供應商器件封裝:TO-267AB 標準包裝:1 2N7236 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線） 供應商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 2N7228U 功能描述:MOSFET N-CH 500V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:415 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-267AB 供應商器件封裝:TO-267AB 標準包裝:1 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA
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