2N7OO2

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

2N7OO2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
HITACHI
標(biāo)準(zhǔn)封裝
98+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

1/1頁 40條/頁共3條
1

您是不是要找： 2N915 2N918 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E

2N7OO2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

2N7OO2 技術(shù)參數(shù)

2N7640-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 16A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）（155°C）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 16A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1534pF @ 35V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-276 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7639-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 15A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Tc）（155°C）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 15A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1534pF @ 35V 功率 - 最大值:172W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-257 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7638-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 8A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc）（158°C）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 8A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-276 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7637-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 7A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）（165°C）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 7A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-257 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7636-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 4A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）（165°C）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:415 毫歐 @ 4A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:324pF @ 35V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-276 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES